＜装置の概要＞

　高速イオン銃（XP-HSIG3)を標準装備しており、XPS測定とイオン銃によるエッチングを交互に 行うことにより、試料の深さ方向の分析が可能です。
　３～100nm/min（SiO2換算）のエッチング速度で迅速な深さ方向分析ができます。
　下図はSi基板上にSiO2膜とSi膜を交互に5層成膜した材料を深さ方向分析した結果です。